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锗和硅都是半导体材料，其导电能力受到温度、光照、杂质等因素的影响，在特定条件下，它们可以表现出不同的导电性能。
硅的价带和导带之间的带隙宽度相对较大，这使得硅在常温下导电性相对较差，当受到外界激发时（如加热、光照等），硅中的电子可以吸收能量从价带跃迁至导带，形成导电载流子，从而表现出导电性。
关于锗的导电能力，它是另一种重要的半导体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间，与硅相比，锗的带隙较小，因此在某些条件下可能表现出相对较好的导电性。
至于具体的价带和导带能量值，这些通常与材料的物理性质有关，需要具体的物理参数或查阅相关的物理文献来获取。
锗和硅的导电能力与它们的价带和导带结构有关，具体数值需要查阅专业的物理文献。